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一、RTP快速熱處理退火爐簡介
快速熱處理(RTP)是將晶片快速加熱到設定溫度,進行短時間快速熱處理的方法。
RTP系統采用輻射熱源對晶片進行一片一片的加熱,溫度測量和控制通過高溫計完成熱處理時間通常小于1~2分鐘,可用于氧化、退火、金屬硅化物的形成和快速熱化學沉積,RTP系統中,熱源直接面對晶片表面,因此在處理大直徑晶片時不會影響工藝處理的均勻性和升(降)溫速度。RTP系統還有晶片旋轉功能使熱處理均勻性更佳。RTP已逐漸成為先進半導體制造常見的一項工藝。
二、RTP500V真空快速熱處理退火爐技術參數:
(1)溫度范圍:100 – 1300 ℃
(2)升溫速率:2 – 220 ℃/秒可調
(3)密封石英腔內面尺寸:215 X 140X 14 毫米;
(4)樣品最大尺寸:4英寸
(5)計算機控制系統:PC 機控制;
(6)軟件:快速熱處理編程控制軟件RTP-500的控制軟件;
(7)程序:①可編程溫度曲線存儲1500 條以上;
②每條曲線包括100段以上, 溫度設定范圍 25—1300℃ ;
③每段時間設定范圍1—30000 秒;
④數據可導出為文本文件便于數據處理,自動優化溫控;
(8)溫度設定范圍:100-1300℃
(9)溫度重復性:±1℃,6區控溫;
(10)測溫精確度:100-1300全溫度段精度>0.5%
(11)測溫裝置:K型熱電偶;
(12)溫度曲線:自動記錄,保存,文本格式轉換,支持彩色分頁打??;
(13)真空系統:一路MFC流量控制,極限真空度0.1Pa,德國THERMOVAC真空測量儀;
(14)1000℃連續工作時間:雙閉環溫度控制, 穩態溫度穩定性±2℃ ,1000℃連續工作>1小時;
(15)光源:1.25KW X 13 鹵鎢燈
(16)電源:380 V 40A 三相 四線(三火線, 零線),50/60Hz;
(17)冷卻裝置:自來水或循環水, 水壓 1—3 kg / 平方厘米, 流量6-8升/分
(18)冷卻方式:水冷、風冷、氣冷;
(19)安全裝置:過溫報警,過熱報警,過熱自動保護,水壓報警,水壓異常自動保護;
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